Diffusion and incorporation of Cd in solar-grade Cu(In,Ga)Se2 layers
Diffusion and incorporation of Cd in solar-grade Cu(In,Ga)Se2 layers
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太阳能级 Cu(In,Ga)Se2 层中 Cd 的扩散和结合
DOI：
10.1063/1.3665036
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发表时间：
2011
影响因子：
4
通讯作者：
N. Stolwijk
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Hiepko;J. Bastek;R. Schlesiger;G. Schmitz;R. Wuerz;N. Stolwijk
本文用放射性示踪技术研究了Cd在Cu（In，Ga）Se_2层中的扩散。在197 ~ 425 °C范围内，用离子束切片法测定了~（109）Cd在等温扩散过程中的深度分布。镉的扩散率可以用阿克里尼乌斯方程DCd = 4.8 × 10−4 exp（−1.04 eV/kBT）cm 2s −1来描述。在450 °C下用天然Cd饱和的样品上的原子探针断层扫描显示其在晶体体积上的均匀掺入。
We examined Cd diffusion in Cu(In,Ga)Se2 layers by means of the radiotracer technique. Depth profiles of 109Cd were determined by ion-beam sputter-sectioning upon isothermal diffusion in the range from 197 to 425 °C. The Cd diffusivity can be described by the Arrhenius equation DCd = 4.8 × 10−4 exp (−1.04 eV/kBT )cm2s−1. Atom-probe tomography on a sample saturated with natural Cd at 450 °C revealed its homogeneous incorporation over the crystal volume.