First-principles study of Schottky contact on SiON/SiC (0001)
First-principles study of Schottky contact on SiON/SiC (0001)
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SiON/SiC 肖特基接触的第一性原理研究 (0001)
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
常行真司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
安藤康伸;合田義弘;常行真司
