K.Takeuchi et al.: "InP Hot Electron Transistors with Emitter Mesa Fabricated between Gate Electrodes for Reduction in Emitter-Gate Gate-Leakage Current"Japanese Journal of Applied Physics. 43・2A. L183-L186 (2004)
K.Takeuchi et al.: "InP Hot Electron Transistors with Emitter Mesa Fabricated between Gate Electrodes for Reduction in Emitter-Gate Gate-Leakage Current"Japanese Journal of Applied Physics. 43・2A. L183-L186 (2004)
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K.Takeuchi 等人：“在栅极电极之间制造发射极台面的 InP 热电子晶体管，以减少发射极栅极漏电流”日本应用物理学杂志 43・2A (2004)。
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