Characterization of Epitaxial Si Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Cylindrical Rotary Electrode
Characterization of Epitaxial Si Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Cylindrical Rotary Electrode
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使用圆柱形旋转电极通过大气压等离子体化学气相沉积生长的外延硅薄膜的表征
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Yasutake;H.Ohmi;H.Kakiuchi;T.Wakamiya;H.Watanabe
