H.OHNO: " (Ga, Mn) As : A new diluited magnetic semiconductor based on GaAs" Applied Physics Letters. 69 (3). 363-365 (1996)
H.OHNO: " (Ga, Mn) As : A new diluited magnetic semiconductor based on GaAs" Applied Physics Letters. 69 (3). 363-365 (1996)
复制标题
H.OHNO：“(Ga, Mn) As：一种基于 GaAs 的新型稀释磁性半导体”应用物理快报。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
