Visible emissions near 2.2eV from InN films grown on Si(111) and sapphire(0001) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy
Visible emissions near 2.2eV from InN films grown on Si(111) and sapphire(0001) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy
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通过电子回旋共振等离子体辅助分子束外延在 Si(111) 和蓝宝石 (0001) 衬底上生长的 InN 薄膜产生接近 2.2eV 的可见光发射
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Yoshimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Yodo;H.Yona;Y.Harada;A.Sasaki;M.Yoshimoto
