第一原理研究界面弛豫对InAs/GaSb超晶格界面结构、能带结构和光学性质的影响

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发表时间:
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期刊:
物理学报
影响因子:
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通讯作者:
Sun Wei-Feng~(1)) Zheng Xiao-Xia~(2)) 1)(Key Labor
Sun Wei-Feng~(1)) Zheng Xiao-Xia~(2)) 1)(Key Labor
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
孙伟峰;郑晓霞;Sun Wei-Feng~(1)) Zheng Xiao-Xia~(2)) 1)(Key Labor

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