超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたPチャネルMOSFETの作製と評価
超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたPチャネルMOSFETの作製と評価
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采用超高压活化热处理镁离子注入 GaN 的 P 沟道 MOSFET 的制造和评估
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡部平司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
和田悠平;溝端秀聡;野﨑幹人;小林拓真;細井卓治;櫻井秀樹;加地徹;志村考功;渡部平司
