ヨウ化銅(Ⅰ)を用いた選択CVD法による低抵抗率な銅層の形成
ヨウ化銅(Ⅰ)を用いた選択CVD法による低抵抗率な銅層の形成
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使用碘化铜(I)通过选择性CVD方法形成低电阻率铜层
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
豊田絃人，山内智
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toyoda Gento;Kikuchi Hikari;Yamauchi Satoshi;Joutsuka Tatsuya;Fuse Takashi;Kubota Yusuke;豊田絃人，山内智
