Threshold Voltage and Current Variability of Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Width down to 2nm
Threshold Voltage and Current Variability of Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Width down to 2nm
复制标题
宽度低至 2nm 的极窄硅纳米线 MOSFET 的阈值电压和电流变化
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Mizutani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高木敏行;三木寛之;竹野貴法;後藤太一,橋本良介,磯谷亮介,鈴木裕太,荒木隆平,高木宏幸,井上光輝;T. Mizutani
