K.Hata,S.Ozawa,S.Sainoo,K.Miyake,and H.Shigekawa: "Electronic Structure of the C Defect of Si (100) Measured by Scanning Tunneling Spectroscope at Room and Low Temperature (80K)"Suface Science. 447・1-3. 156-164 (2000)
K.Hata,S.Ozawa,S.Sainoo,K.Miyake,and H.Shigekawa: "Electronic Structure of the C Defect of Si (100) Measured by Scanning Tunneling Spectroscope at Room and Low Temperature (80K)"Suface Science. 447・1-3. 156-164 (2000)
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K. Hata、S. Ozawa、S. Sainoo、K. Miyake 和 H. Shigekawa：“在室温和低温 (80K) 下通过扫描隧道光谱仪测量的 Si (100) C 缺陷的电子结构”表面科学。 447・1-3。156-164（2000）
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