Takashi Fuyuki: "Initial stage of heteroepitaxial growth of SiC on Si by gas source MBE using hydrocrarbon radicals" Proc.Material Research Society,“Interface Control of Properties". (1994)
Takashi Fuyuki: "Initial stage of heteroepitaxial growth of SiC on Si by gas source MBE using hydrocrarbon radicals" Proc.Material Research Society,“Interface Control of Properties". (1994)
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Takashi Fuyuki：“使用烃自由基通过气源 MBE 在 Si 上异质外延生长 SiC”，Proc.Material Research Society，“Interface Control of Properties”（1994 年）。
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