Resolution Limits of Electron-Beam Lithography toward the Atomic Scale
Resolution Limits of Electron-Beam Lithography toward the Atomic Scale
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电子束光刻在原子尺度上的分辨率极限
DOI：
10.1021/nl304715p
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发表时间：
2013-04-01
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
Berggren, Karl K.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Manfrinato, Vitor R.;Zhang, Lihua;Berggren, Karl K.
我们使用像差校正扫描透射电子显微镜研究了电子束光刻。我们在氢倍半硅氧烷抗蚀剂中实现了 2 nm 的隔离特征尺寸和 5 nm 的半节距。我们还通过测量 200 keV 下的点扩散函数来分析该技术的分辨率极限。此外，我们使用电子能量损失光谱测量了抗蚀剂中的能量损失。
We investigated electron-beam lithography with an aberration-corrected scanning transmission electron microscope. We achieved 2 nm isolated feature size and 5 nm half-pitch in hydrogen silsesquioxane resist. We also analyzed the resolution limits of this technique by measuring the point-spread function at 200 keV. Furthermore, we measured the energy loss in the resist using electron-energy-loss spectroscopy.