生方 朋章: "反応性イオンエッチングによる多段凹凸構造のSi基板への増幅転写"応用物理学関係連合講演会予稿集. 第50回No.2. 801-801 (2003)
生方 朋章: "反応性イオンエッチングによる多段凹凸構造のSi基板への増幅転写"応用物理学関係連合講演会予稿集. 第50回No.2. 801-801 (2003)
复制标题
Tomoaki Ubukata：“通过反应离子蚀刻将多级不平坦结构放大转移到硅衬底上”应用物理协会会议记录第 50 期第 2. 801-801 (2003)。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
