MOCVD選択成長法によるIII-V族化合物半導体ナノワイヤの形成

MOCVD選択成長法によるIII-V族化合物半導体ナノワイヤの形成
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MOCVD选择性生长法形成III-V族化合物半导体纳米线

DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
表面科学 29
影响因子:
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通讯作者:
福井孝志
福井孝志
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
冨岡克広;佐藤拓也;本久順一;原真二郎;福井孝志

文献摘要

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