Fabrication and Characterization of InAs Mesoscopic Devices

Fabrication and Characterization of InAs Mesoscopic Devices
复制标题

InAs 介观器件的制造和表征

DOI:
--
复制
发表时间:
2006
期刊:
Springer Proceedings in Physics Vol. 110
影响因子:
--
通讯作者:
M.Inoue
M.Inoue
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
M.Koyama;M.Furukawa;H.Ishii;M.Nakai;T.Maemoto;S.Sasa;M.Inoue

文献摘要

参考文献

相似文献

盖泽尔和弗莱施曼 回复
DOI: 10.1103/physrevlett.90.119702
发表时间: 2003
影响因子: 8.6
作者:
T. Geisel;R. Fleischmann
通讯作者: R. Fleischmann
具有弱周期势的 InAs/AlGaSb 量子线中的磁输运
DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00427-5
发表时间: 1999
影响因子: 2.8
作者:
T. Maemoto;M. Ichiu;A. Ohya;S. Sasa;M. Inoue;K. Ishibashi;Y. Aoyagi
通讯作者: Y. Aoyagi
评论“基于弹道输运的介观整流器”。
DOI: 10.1103/physrevlett.90.119701
发表时间: 2003
影响因子: 8.6
作者:
M. Büttiker;D. Sánchez
通讯作者: D. Sánchez
基于弹道输运的介观整流器。
DOI: 10.1103/physrevlett.89.016804
发表时间: 2002
影响因子: 8.6
作者:
R. Fleischmann;T. Geisel
通讯作者: T. Geisel