A 2-Transistor-2-Capacitor Ferroelectric Edge Compute-in-Memory Scheme with Disturb-Free Inference and High Endurance
A 2-Transistor-2-Capacitor Ferroelectric Edge Compute-in-Memory Scheme with Disturb-Free Inference and High Endurance
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具有无干扰推理和高耐用性的 2 晶体管 2 电容器铁电边缘计算内存方案
DOI：
10.1109/led.2023.3274362
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发表时间：
2023
影响因子：
4.9
通讯作者：
Chen, Yiming
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ma, Xiaoyang;Deng, Shan;Wu, Juejian;Zhao, Zijian;Lehninger, David;Ali, Tarek;Seidel, Konrad;De, Sourav;He, Xiyu;Chen, Yiming
