Low Temperature Processed Zinc Oxide Thin Film Transistors by Plasma Assisted Atomic Layer Deposition
Low Temperature Processed Zinc Oxide Thin Film Transistors by Plasma Assisted Atomic Layer Deposition
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通过等离子体辅助原子层沉积低温加工氧化锌薄膜晶体管
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yumi Kawamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akira Matsugi;Akira Miyoshi;Yumi Kawamura;Yumi Kawamura;Yumi Kawamura;Yumi Kawamura;Yumi Kawamura;Yumi Kawamura;Yumi Kawamura;川村悠実;Yumi Kawamura;川村悠実;Yumi Kawamura
