Normally-Off AlGaN/GaN HEMT with Recessed-Oxide Gate by Selective Electrochemical Oxidation
Normally-Off AlGaN/GaN HEMT with Recessed-Oxide Gate by Selective Electrochemical Oxidation
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通过选择性电化学氧化实现具有凹进氧化物栅极的常关 AlGaN/GaN HEMT
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Ohi;N.Harada;N.Azumaishi;T.Hashizume
