Possibility of Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories for Long Lifespan Archive Memories
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金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体存储器实现长寿命存档存储器的可能性
DOI：
10.1587/transele.e100.c.928
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发表时间：
2017
影响因子：
0.5
通讯作者：
Kenji Shiraisihi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiromi Shirakawa;Keita Yamaguchi;Masaaki Araidai;Katsumasa Kamiya;Kenji Shiraisihi
