エミッシブプローブによる高誘電率放電管内のSF_6プラズマ診断とSiエッチング特性
エミッシブプローブによる高誘電率放電管内のSF_6プラズマ診断とSiエッチング特性
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利用发射探针和硅刻蚀特性对高介电常数放电管中的SF_6等离子体进行诊断
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
進藤 春雄
中科院分区：
文献类型：
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作者：
草場 康太;進藤 春雄
