K.Baert; A.Yamada; M.Konagai; K.Takahashi: "Si Epitxial Growth by RF Plasma-CVD at 200-300゜C" Digest of Paper 1988 1st MicroProcess Conference. 124-125 (1988)
K.Baert; A.Yamada; M.Konagai; K.Takahashi: "Si Epitxial Growth by RF Plasma-CVD at 200-300゜C" Digest of Paper 1988 1st MicroProcess Conference. 124-125 (1988)
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K.Baert；A.Yamada；M.Konagai；K.Takahashi：“在 200-300゜C 下进行硅外延生长”1988 年第一届微工艺会议文摘。
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