森下 義隆: "Effects of regularity of honeycomb hollows formed by the anodization of GaAs substrates on the molecular-beam epitaxial growth of InAs quantum dots"7th Int. Workshop Femtosecond Technology. (発表). 192 (2000)
森下 義隆: "Effects of regularity of honeycomb hollows formed by the anodization of GaAs substrates on the molecular-beam epitaxial growth of InAs quantum dots"7th Int. Workshop Femtosecond Technology. (発表). 192 (2000)
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Yoshitaka Morishita：“GaAs 基板阳极氧化形成的蜂窝状空心的规律性对 InAs 量子点分子束外延生长的影响”，第 7 届国际飞秒技术研讨会（演示文稿）。
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