Physics of ferroelectric interface : an attempt for nanoferroelectric physics in "Ferroelectric Thin Films-Basic and Device Physics in Ferroelectric Thin Films for Memory Application -"
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铁电界面物理：纳米铁电物理的一次尝试《铁电薄膜-存储器应用铁电薄膜的基础与器件物理-》
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Horibe;C.H.Chen;S-W.Choeng;S.Mori;Y.Watanabe
