J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa,T.Nakagawa,K.Ohta and S.Tanigawa: "The effect of point defects on the electrical activation of Si‐implanted GaAs during rapid thermal annealing" IEEE Trans.on Electron Devices. 39. 176-183 (1992)
J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa,T.Nakagawa,K.Ohta and S.Tanigawa: "The effect of point defects on the electrical activation of Si‐implanted GaAs during rapid thermal annealing" IEEE Trans.on Electron Devices. 39. 176-183 (1992)
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J.L.Lee、L.Wei、S.Tanikawa、T.Nakakawa、K.Ohta 和 S.Tanikawa：“快速热退火过程中点缺陷对硅注入 GaAs 电激活的影响”IEEE Trans.on Electron Devices。 39. 176-183 (1992)
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