I-V characteristics of nanowire based resistive change memory
I-V characteristics of nanowire based resistive change memory
复制标题
基于纳米线的电阻变化存储器的 I-V 特性
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shoso Shingubara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takashige Aono;Kouichi Takase;Kosuke Sugawa;Tomohiro Shimizu;Shoso Shingubara
