Improvement of surface morphology in (000-1) GaN/Sapphire grown by MOVPE with indium surfactant
Improvement of surface morphology in (000-1) GaN/Sapphire grown by MOVPE with indium surfactant
复制标题
含有铟表面活性剂的 MOVPE 生长的 (000-1) GaN/蓝宝石表面形态的改善
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Matsuoka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Aisaka;T. Tanikawa;T. Kimura;T. Iwabuchi;K. Shojiki;R. Katayama;T. Hanada;T. Matsuoka
