Gate-induced modulation of interface dipole in HfO2-based MOS structures
Gate-induced modulation of interface dipole in HfO2-based MOS structures
复制标题
HfO2 基 MOS 结构中界面偶极子的栅极感应调制
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Miyata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
LUDOVICO MINATI;KORKUT KAAN TOKGOZ;MATTIA FRASCA;YASUHARU KOIKE;JACOPO IANNACCI;NATSUE YOSHIMURA;KAZUYA MASU;AND HIROYUKI ITO;財部健一，森嘉久;N. Miyata
