UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長

UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長
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超高真空溅射外延法生长GaN层

DOI:
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发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
六倉 信喜
六倉 信喜
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
福田 直樹;岩元 正紀;長田 拓也;水野 愛;安藤 毅;篠田 宏之;六倉 信喜

文献摘要

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