固相結晶化In2O3:Hによる薄膜トランジスタの 高移動度化(>100 cm2V－1s－1)
固相結晶化In2O3:Hによる薄膜トランジスタの 高移動度化(>100 cm2V－1s－1)
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采用固相结晶In2O3:H的薄膜晶体管的高迁移率（>100 cm2V－1s－1）
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
古田 守
中科院分区：
文献类型：
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作者：
曲 勇作;片岡 大樹;葉 文昌;古田 守
