Hole-Induced Degradation in E-Mode GaN MIS-FETs: Impact of Substrate Terminations
Hole-Induced Degradation in E-Mode GaN MIS-FETs: Impact of Substrate Terminations
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E 模式 GaN MIS-FET 中的空穴引起的退化：衬底端接的影响
DOI：
10.1109/ted.2019.2954282
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发表时间：
2020
影响因子：
3.1
通讯作者：
Kevin J.Chen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mengyuan Hua;Song Yang;Jin Wei;Zheyang Zheng;Jiabei He;Kevin J.Chen
