InP/InGaAs-channel MOSFET with MOVPE Selective Regrown Source
InP/InGaAs-channel MOSFET with MOVPE Selective Regrown Source
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具有 MOVPE 选择性再生源的 InP/InGaAs 沟道 MOSFET
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Kanazawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Naito AT;Sumida T;Nomura S;Liu ML;Higo T;Nakagawa A;Okada K;Sakai T;Hashimoto A;Hara Y;Shimizu I;Zhu W;Toko H;Katada A;Akazawa H;Oka T;Lee JK;Minamino T;Nagai T;Walsh K;Kikuchi A;Matsumoto M;Botto M;Shiojima I;Komuro I;T.Kanazawa
