CHARACTERIZATIUN OF TUNNELING CURRENT THROUGH ULTRATHIN SILICON DIOXIDE FILMS BY DIFFERENT-METAL GATES MRTHOD

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不同金属栅极方法表征通过超薄二氧化硅薄膜的隧道电流

DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
The Physics and Chemistry of SiO_2 and the Si-SiO_2 Interface - 5, ECS Transactions, The Electrochemical Society 1・1
影响因子：
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通讯作者：
Mizuho Morita
Mizuho Morita
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Naoto Yoshii;Tatsuya Okazaki;Takaaki Hirokane;Shinichi Urabe;Kazuo Nishimura;Satoru Morita;Mizuho Morita

文献摘要

被引文献

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