High thermoelectric performance in high crystallinity epitaxial Si films containing silicide nanodots with low thermal conductivity
High thermoelectric performance in high crystallinity epitaxial Si films containing silicide nanodots with low thermal conductivity
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含有低热导率硅化物纳米点的高结晶度外延硅薄膜的高热电性能
DOI：
10.1063/1.5126910
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发表时间：
2019
影响因子：
4
通讯作者：
Nakamura Yoshiaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sakane Shunya;Ishibe Takafumi;Hinakawa Takahiro;Naruse Nobuyasu;Mera Yutaka;Mahfuz Alam Md.;Sawano Kentarou;Nakamura Yoshiaki
