T.Fuyuki: "Low-temperature heterepoitaxial growth of cubic SiC on Si using hydrocarbon radicals by gas source molecular beam epitaxy" Workbook on 8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 21-22 (1994)
T.Fuyuki: "Low-temperature heterepoitaxial growth of cubic SiC on Si using hydrocarbon radicals by gas source molecular beam epitaxy" Workbook on 8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 21-22 (1994)
复制标题
T.Fuyuki：“通过气源分子束外延利用烃基在硅上低温异质生长立方碳化硅”第八届国际分子束外延会议工作手册。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
