Fabrication of polarity inversion structure of GaN by using Mg-dope in MOVPE
Fabrication of polarity inversion structure of GaN by using Mg-dope in MOVPE
复制标题
MOVPE中Mg掺杂制备GaN极性反转结构
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tsuyoshi Tachi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
田口悠一朗;大川浩作;荒木 潤;Kazuyoshi Kanamori;Tsuyoshi Tachi
