Si 2p Core Level Shifts of the Epitaxial SiON Layer on a SiC(0001), Studied by Photoemissin Spectroscopy
Si 2p Core Level Shifts of the Epitaxial SiON Layer on a SiC(0001), Studied by Photoemissin Spectroscopy
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通过光电发射光谱研究 SiC(0001) 上外延 SiON 层的 Si 2p 核心能级偏移
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Tochihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Shirasawa;S. Tanaka;T. Muro;Y. Tamenori;Y. Harada;T. Tokushima;T. Kinoshita;S. Shin;T. Takahashi;H. Tochihara
