Nonpolar light emitting diodes of m-plane ZnO on c-plane GaN with the Al2O3 interlayer
Nonpolar light emitting diodes of m-plane ZnO on c-plane GaN with the Al2O3 interlayer
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具有 Al2O3 中间层的 c 面 GaN 上 m 面 ZnO 的非极性发光二极管
DOI：
10.1063/1.4801761
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发表时间：
2013-04-08
影响因子：
4
通讯作者：
Liu, C.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, T.;Wu, H.;Liu, C.
采用原子层淀积的方法在GaN(0002)衬底上制备了具有10 nm Al_2O_3过渡层的非极性m面氧化锌薄膜。直接生长在GaN(0002)上的氧化锌薄膜的生长方向为[70(7)上方的Bar4](垂直于(10(1)上方的Bar1)面)，而在Al_2O_3中间层上，则转变为[10(1)上方的Bar0]。有了Al_2O_3过渡层，形成了m-平面的氧化锌薄膜，异质结的漏电流大大降低。在正偏压下，n-ZnO/Al_2O_3/p-GaN异质结的电致发光光谱以蓝色发光为主，而在反向偏压下，电致发光光谱以紫色为主。(C)2013 AIP出版有限责任公司。
Nonpolar m-plane ZnO films are deposited on GaN (0002) with a 10 nm Al2O3 interlayer by atomic layer deposition. The growth direction of the ZnO films directly on GaN (0002) is [70 (7) over bar4] (perpendicular to (10 (1) over bar1) plane), whereas with the Al2O3 interlayer it changes into [10 (1) over bar0]. With the Al2O3 interlayer, the m-plane ZnO films are presented and the leakage current of the heterojunctions dramatically reduces. The electroluminescence spectra of the n-ZnO/Al2O3/p-GaN heterojunctions are dominated by a blue emission under forward biases, whereas it is violet under reverse biases. (C) 2013 AIP Publishing LLC.