Quantum confinement effect of nanocrystalline GaN films prepared by pulsed-laser ablation under various Ar pressures
Quantum confinement effect of nanocrystalline GaN films prepared by pulsed-laser ablation under various Ar pressures
复制标题
不同Ar压下脉冲激光烧蚀制备纳米晶GaN薄膜的量子限域效应
DOI：
--
复制
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N. Koshizaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jong;T. Sasaki;C. Roh;S. Shim;K. Shim;N. Koshizaki
