Silicon-Nitride-Passivated Bottom-Up Single-Electron Transistors
Silicon-Nitride-Passivated Bottom-Up Single-Electron Transistors
复制标题
氮化硅钝化自下而上单电子晶体管
DOI：
10.7567/jjap.52.110101
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发表时间：
2013
影响因子：
1.5
通讯作者：
Y Maiima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Hackenberger;Y. Azuma;S. Kano;D. Tanaka;M. Sakamoto;T. Teranishi;Y. Ohno;K. Maehashi;Y Maiima
