Hot Carrier Degradation in High Mobility Metal Oxide Thin Film Transistors
Hot Carrier Degradation in High Mobility Metal Oxide Thin Film Transistors
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高迁移率金属氧化物薄膜晶体管中的热载流子退化
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yasuaki Ishikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yukiharu Uraoka;Takanori Takahashi;Kahori Kise;Juan Paolo Bermundo;Mami Fujii;Mutsunori Uenuma;Yasuaki Ishikawa
