Selective Area Molecular Beam Epitaxy of InAs Nanowires on Various Oriented GaAs Substrates
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复制标题
InAs 纳米线在不同取向 GaAs 衬底上的选区分子束外延
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Yamada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Akabori;T. Murakami;and S. Yamada
