High performance planar p-i-n perovskite solar cells based on a thin Alq(3) cathode buffer layer.
High performance planar p-i-n perovskite solar cells based on a thin Alq(3) cathode buffer layer.
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基于薄 Alq3 阴极缓冲层的高性能平面 p-i-n 钙钛矿太阳能电池
DOI：
10.1039/c8ra01633j
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发表时间：
2018-04-27
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
Song, Qunliang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen, Lijia;Wang, Gang;Niu, Lianbin;Yao, Yanqing;Guan, Yunxia;Cui, Yuting;Song, Qunliang
在ITO/PEDOT：PSS/CH_3NH_3PbI_3（Cl）/PCBM/Alq_3/Ag结构的p-i-n型钙钛矿太阳能电池中，成功地引入了Al（8-羟基喹啉）作为薄阴极缓冲层（CBL）。由于引入了薄Alq 3 CBL，已经实现了高性能的平面PSC，填充因子（FF）为72%，最大功率转换效率（PCE）为14.22%。PCE值比不含Alq 3 CBL的参考器械高约29%。关于交流阻抗谱和瞬态光电流测量的结果，PCE的这种显着的改善主要归因于Alq 3引起的更好的电荷提取在阴极，这是通过减少PCBM和Ag之间的电荷积累引起的。
As a thin cathode buffer layer (CBL) tris-(8-hydroxyquinoline), aluminum (Alq3) is successfully introduced into the planar p-i-n perovskite solar cells (PSC) between the PCBM layer and cathode with a device structure of ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbI3(Cl)/PCBM/Alq3/Ag. Due to the as-introduced thin Alq3 CBL, a high performance planar PSC has been achieved with a fill factor (FF) of 72% and maximum power conversion efficiency (PCE) of 14.22%. The PCE value is approximately 29% higher than that of the reference device without Alq3 CBL. Concerning the results of AC impedance spectra and transient photocurrent measurements, such a remarkable improvement of PCE is mainly attributed to the Alq3-caused better charge-extraction at the cathode, which is induced by reducing charge accumulation between PCBM and Ag.
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