Investigation of the Trap States and V-TH Instability in LPCVD Si3N4/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with an In-Situ Si3N4 Interfacial Layer
Investigation of the Trap States and V-TH Instability in LPCVD Si3N4/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with an In-Situ Si3N4 Interfacial Layer
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具有原位 Si3N4 界面层的 LPCVD Si3N4/AlGaN/GaN MIS-HEMT 中的陷阱态和 V-TH 不稳定性研究
DOI：
10.1109/ted.2019.2919246
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发表时间：
2019
影响因子：
3.1
通讯作者：
Chen Dongmin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sun Hui;Wang Maojun;Yin Ruiyuan;Chen Jianguo;Xue Shuai;Luo Jiansheng;Hao Yilong;Chen Dongmin
