High average breakdown field between gate and drain in AlGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer
High average breakdown field between gate and drain in AlGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer
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具有高 k 钝化层的 AlGaN/GaN HEMT 栅极和漏极之间的高平均击穿电场
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Horio
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Tomita;S. Ueda;Y. Kawada;and K. Horio
