Terahertz Frequency-Domain Spectrometer Based on Photodiode and Low-Temperature-Grown GaAs Photoconductor at 1.55μm
Terahertz Frequency-Domain Spectrometer Based on Photodiode and Low-Temperature-Grown GaAs Photoconductor at 1.55μm
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基于光电二极管和 1.55μm 低温生长 GaAs 光电导体的太赫兹频域光谱仪
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T.Nagatsuma
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Hisatake;G.Kitahara;H.-J.Song;K.Ajito;and T.Nagatsuma
