Vacancy-type defects in bulk GaN grown by the Na-flux method probed using positron annihilation
Vacancy-type defects in bulk GaN grown by the Na-flux method probed using positron annihilation
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使用正电子湮没探测钠通量法生长的块体 GaN 中的空位型缺陷
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.06.027
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发表时间：
2017
影响因子：
1.8
通讯作者：
Y. Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Uedono;Masayuki Imanishi;M. Imade;M. Yoshimura;S. Ishibashi;M. Sumiya;Y. Mori
