SiO2表面上ペンタセン薄膜のイオン化エネルギー
SiO2表面上ペンタセン薄膜のイオン化エネルギー
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SiO2表面并五苯薄膜的电离能
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
江口敬太郎，村田英幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keitaro Eguchi and Hideyuki Murata;江口敬太郎，村田英幸
