数nm-COMOS素子用二次元Si層の検討（Ⅸ）：量子閉じ込め効果の結晶方位依存性へのドーパントの影響
数nm-COMOS素子用二次元Si層の検討（Ⅸ）：量子閉じ込め効果の結晶方位依存性へのドーパントの影響
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几种 nm-COMOS 器件的二维 Si 层研究 (IX)：掺杂剂对量子限制效应的晶体取向依赖性的影响
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
長嶺由騎, 鈴木佑弥，青木孝，鮫島俊之，水野智久
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Nakamura;H. Osawa;Y. Okamoto;Y. Kanai;and H. Muraoaka;長嶺由騎, 鈴木佑弥，青木孝，鮫島俊之，水野智久
