Electronic properties of (100)Ge/Ge(Hf)O2 interfaces : A first-principles study
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(100)Ge/Ge(Hf)O2 界面的电子特性：第一性原理研究
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Heyns
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Houssa;G. Pourtois;M. Caymax;M. Meuris;M. Heyns
